ราคาหน่วยความจำในตลาดสปอตพุ่งเป็น 4 เท่าของราคาสัญญา จากดีมานด์ AI ที่ล้นซัพพลาย

ตลาดหน่วยความจำโลกอยู่ในภาวะขาดแคลนต่อเนื่องหลายไตรมาส โดยมีต้นเหตุหลักจากความต้องการ High Bandwidth Memory (HBM) สำหรับตัวเร่งการประมวลผล AI ณ ต้นเดือนกันยายน 2026 ราคาสัญญาหน่วยความจำที่ติดตามได้เพิ่มขึ้นกว่า 343.55% เมื่อเทียบปีต่อปี

ช่องว่างระหว่างตลาดสปอตกับสัญญาระยะยาวสะท้อนความตึงตัวได้ชัดที่สุด HBM3E ขนาด 36GB หนึ่งชั้นซื้อขายที่ราว 2,100 ดอลลาร์ในตลาดสปอต ขณะที่ภายใต้สัญญาระยะยาวราคาอยู่ที่ 365-510 ดอลลาร์ คิดเป็นส่วนต่าง 4-5 เท่า ส่วนราคาสัญญา DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์เพิ่มขึ้น 45-50% ในไตรมาสสี่ของปี 2025 และเร่งขึ้นอีกเป็น 55-60% หรือมากกว่าในไตรมาสแรกของปี 2026 ต้นทุนชิ้นส่วนโดยรวมขยับจากราว 1 ดอลลาร์เป็น 4.44 ดอลลาร์ภายในสิบสองเดือน

สาเหตุเชิงโครงสร้างคือผู้ผ��ิตย้ายกำลังผลิตเวเฟอร์จาก DRAM ทั่วไปไปสู่ HBM ที่มาร์จินสูงกว่าเพื่อรองรับงาน AI ทำให้ซัพพลาย DRAM ปกติลดลงอย่างมาก ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ทั้งสามราย — Samsung, SK Hynix และ Micron ซึ่งครองตลาดรวมกันราว 90% — ต่างระบุว่ากำลังการผลิต HBM ปี 2026 ถูกจองหมดหรือกระจุกอยู่กับลูกค้ารายหลักไปแล้ว Samsung ล็อกกำลังการผลิตราว 70% ไว้ในสัญญาที่ยาวไปถึงปี 2031

ผลกระทบตกกับสินค้าอุปโภคบริโภคเต็ม ๆ ราคาสปอต DRAM พุ่งขึ้นเกือบ 700% ในรอบปี คาดว่ายอดจัดส่งสมาร์ตโฟนจะลดลง 12.9% ในปี 2026 และตลาดพีซีจะหดตัว 11.3% การผ่อนคลายด้านซัพพลายไม่น่าจะเกิดก่อนปี 2027 เพราะโครงการขยายกำลังผลิต HBM ใหม่ของ SK Hynix กำหนดเปิดห้องคลีนรูมและผลิตจริงในช่วงปี 2028-2029

สำหรับธุรกิจที่ต้องซื้อฮาร์ดแวร์ เซิร์ฟเวอร์ หรืออุปกรณ์ IoT ในช่วงนี้ นี่หมายถึงงบประมาณ CapEx ที่ต้องตั้งไว้สูงกว่าเดิมมาก และการวางแผนล่วงหน้าที่ยาวขึ้น